特許

J-GLOBAL ID：200903091351626446

双方向転送可能な水平方向電荷転送デバイス

発明者： ジ・ソン・ユン ,  イル・ナム・ホアン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275207
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 信号電荷を双方向に転送することができるようにして、ミラー・イメージ・センサーに適にした、双方向転送可能な電荷転送デバイスを提供する。【解決手段】 ポテンシャル段差を形成するために、イオン注入工程でバリアー層を形成するのではなく、ポリゲートに印加される電圧を二元化して、それに従って電荷を双方向に転送させることができるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面内に形成された電荷転送領域と、上記の電荷転送領域上に、繰り返し形成される第1、2、3、4の4個のポリゲートと、上記の電荷転送領域上において、上記のポリゲートゲートを相互絶縁させる絶縁膜とを備え、上記の第1、2ポリゲートには、第1クロック信号の互いに異なるレベルの信号を印加し、上記第3、4ポリゲートに第2クロック信号の互いに異なるレベルの信号を印加し、第1クロック信号が印加される、第1、2ポリゲートの下側に該当する電荷転送領域の部分でそれぞれ異なるポテンシャル・レベルが形成され、第3、4ポリゲートの下側に該当する電荷転送領域の部分でそれぞれ異なるポテンシャル・レベルが形成されることを特徴とする双方向転送可能な電荷転送デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 29/76 301 A ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B