半導体装置、LEDヘッド及び画像形成装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-055474
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212394
出願日： 2008年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】 LED発光部100で励起された光のうち、発光領域から光取り出し面方向に出射する光束A1以外の光束B1を有効に取り出すこと。【解決手段】 Si基板126には、テーパー状の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に薄膜半導体チップ150が貼り付けられる。図示しない配線層を介して、GaAs下コンタクト層111と、GaAs上コンタクト層115との間に所定の電圧が印加され電流が流れると、AlGaAs活性層113が発光する。テーパー状の側面形状は、薄膜半導体チップ150の側面出射光を光取出面出射光方向へ屈折させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜半導体素子を貼り付けて成る半導体装置であって、前記基板には、所定の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に前記薄膜半導体素子が貼り付けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455

FI (2件)：

H01L33/00 N , B41J3/21 L

Fターム (11件)：

2C162FA04 , 2C162FA17 , 2C162FA23 , 5F041AA03 , 5F041DA12 , 5F041DA13 , 5F041DA19 , 5F041DA32 , 5F041DA36 , 5F041EE23 , 5F041FF13

引用特許：

出願人引用 (1件)

面発光型光半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-125350 出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (8件)

半導体発光装置、LEDヘッド、画像形成装置、及び半導体発光装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-283466 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-149446 出願人：松下電工株式会社
半導体装置、及び、それを用いたLEDプリントヘッド、画像形成装置、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-302849 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング

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