特許

J-GLOBAL ID：200903091369905270

絶縁されたゲートを有する半導体デバイス

発明者： ハリス,クリストファー アイ. ,  ヤンツェン,エリク ,  コンスタンチノフ,アンドレイ
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-519734
公開番号（公開出願番号）：特表平10-510952
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：

【要約】半導体デバイスは、SiCの半導体層1と、前記SiC層を金属板5に対して絶縁するために前記半導体層の上に配置された絶縁体層4とを有する。前記金属板5はゲートを構成し、かつ電圧源に接続可能であり、それにより前記SiC層と前記絶縁体層との間の界面に導電性の表面チャンネルを生ずる。前記絶縁体層4の少なくとも前記界面に最も近い部分が、SiCと格子が事実上整合しおよびSiCと実質的に同じ熱膨脹係数を有する結晶性の部材で作成される。前記絶縁体層4は、3B族元素の窒化物およびSiCの合金のただ1つの成分または主要な成分として、AlNを有する。1つの好ましい実施例では、前記絶縁体層4はAlBNである。

請求項（抜粋）：

SiCの半導体層(1、11)と、金属板(5、17)に対して前記SiC層を絶縁するために前記SiC層の上に配置された絶縁体層(4、16)とを有し、かつ前記金属板がゲートを構成しそして電圧源に接続することができ、それにより前記SiC層と前記絶縁体層との間の界面に導電性の表面チャンネルを発生させる、半導体デバイスであって、 前記絶縁体層(4、16)の少なくとも前記界面に最も近い部分が、SiCと格子が事実上整合しおよびSiCと実質的に同じ熱膨脹係数を有する結晶性部材で作成されることを特徴とする、前記半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/16

FI (6件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/16