特許

J-GLOBAL ID：200903091374695160

光検出素子が一体的に成長された長波長垂直面発光レーザ

発明者： 金 澤
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-206063
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064480
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 光検出素子が一体的に成長された長波長垂直面発光レーザを提供する。【解決手段】 下部DBRの下部または中間に光検出器が設けられ、この光検出器はレーザ構造体と一体的に成長される面発光レーザである。本発明は、長波長に対する基板の非吸収性を利用し、したがって基板に向かうレーザの検出によってレーザの利得の制御が効果的になされうる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記基板上に成長された多重の下部DBR(分布ブラッグ反射)層と、 前記下部DBR層上に成長された多重の半導体物質層による活性領域と、 前記活性領域上に成長された多重の上部DBR層と、を含み、 前記下部DBR層は、前記活性領域から発生したレーザのうち前記基板に向かうレーザを検出する光検出器を含むことを特徴とする長波長垂直面発光レーザ。

IPC (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/343

FI (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/343

Fターム (12件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC52 ,  5F173AD10 ,  5F173AD11 ,  5F173AF08 ,  5F173AF15 ,  5F173AG01 ,  5F173AH04 ,  5F173AH07 ,  5F173AR13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許5,943,357号公報