特許

J-GLOBAL ID：200903091377037767

半導体装置の製造方法

発明者： 挾間 克樹
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034712
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232415
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 製造工程上の制約を加えることなく効率良く、かつ歩留まり良く、適切な膜厚の最上層酸化膜を有する半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明において、半導体装置の誘電体多層構造膜5の形成方法は、シリコン窒化膜5bを形成する第一の工程と、この第一の工程の後、該シリコン窒化膜5b上に気相堆積法によりシリコン酸化膜5cを形成する第二の工程と、この第二の工程の後、熱処理を行う第三の工程と、この第三の工程の後、前記シリコン酸化膜5cを洗浄する第四の工程と、この第四の工程の後、前記シリコン酸化膜5c上に制御ゲート電極7Aを形成する第五の工程とを有する。

請求項（抜粋）：

導電体層の下に誘電体多層構造膜を具備した半導体装置の製造方法において、該誘電体多層構造膜の形成方法は、窒化膜を形成する第一の工程と、この第一の工程の後、該窒化膜上に気相堆積法により酸化膜を形成する第二の工程と、この第二の工程の後、熱処理を行う第三の工程と、この第三の工程の後、前記酸化膜を洗浄する第四の工程と、この第四の工程の後、前記酸化膜上に導電体層を形成する第五の工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-241822
  
• 特開昭61-241821