特許

J-GLOBAL ID：200903091377264585

化合物半導体集積回路装置

発明者： 小堀 勉 ,  工藤 純久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330519
出願日： 1995年06月01日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 電磁シールド効果が高く小型化,高集積化が達成できる化合物半導体集積回路装置の提供。【構成】 化合物半導体基板の主面にMESFETとMIM容量を有する化合物半導体集積回路装置であって、少なくとも前記MESFET上にMIM容量が形成されている。前記MIM容量の一方の電極は接地電位に接続されている。【効果】 FET上にMIM容量が積層形成されていることから、半絶縁性GaAs基板の主面にFETと容量を領域を分けて形成する構造に比較してMIM容量形成分だけIC形成領域を小さくでき、化合物半導体集積回路装置の小型化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の主面に電界効果トランジスタとMIM容量を有する化合物半導体集積回路装置であって、前記電界効果トランジスタを覆うようにMIM容量が形成されていることを特徴とする化合物半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/80 B