特許
J-GLOBAL ID：200903091382340109
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238484
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082827
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 選択拡散によるp+ -n型のプレーナ型のInGaAspinフォトダイオードを考える。半絶縁性基板を用いて受光部とは別のメサ領域を設け、この領域にpパッド電極を形成し、これとp+ 領域とを段差配線で接続する構造の素子の場合、段差配線の一部がパッシベイション膜を介してn領域上を通る。この部分で寄生容量が発生する。この様な構造の素子においては、通常は同一の窒化シリコン膜に、パッシベイション膜と反射防止膜の二つの機能をもたせていることから、パッシベイション膜の膜厚は、0.2μm程度と薄く、前述の寄生容量が大きくなってしまうという問題点があり、本発明はこれを解決する。【構成】 本発明が提供する半導体受光素子は、素子表面にパッシベイション膜兼反射防止膜8を有し、かつその膜厚が入射光の膜中での波長の(2n+1)/4倍(nは自然数)である。
請求項（抜粋）：
素子表面にパッシベイション膜兼反射防止膜を有し、かつその膜厚が入射光の膜中での波長の(2n+1)/4倍(nは自然数)であることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 F
