特許

J-GLOBAL ID：200903091384577513

プラズマエッチング処理方法及びその装置

発明者： 野上 光秀
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007672
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209096
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気圧条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。

請求項（抜粋）：

ハロゲン系ガス雰囲気で行う大気圧プラズマ処理と、酸素系ガス雰囲気で行う大気圧プラズマ処理を繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521

FI (2件)：

G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 N

Fターム (29件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA25 ,  2H096JA04 ,  5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA09 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA29 ,  5F004DB05 ,  5F004EA28