特許

J-GLOBAL ID：200903091385494212

半導体装置

発明者： 黒田 吉己
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064767
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】この発明は、剥離が発生せず、かつ誘電率、ヒステリシス、リーク電流、耐圧等のキャパシタ電圧等のキャパシタ特性が安定することを目的とする。【構成】基板(1) 上の絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成された第1の電極(3) と、前記第1の電極(3) 上に形成された高,強誘電体膜4と、前記高,強誘電体膜4上に形成された第2の電極(5) とを有する半導体装置において、前記第1の電極(3) が絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成される第一層(3a)とその上に形成され前記高,強誘電体膜4と接する第二層(3b)とから構成され、前記第1の電極(3) の第一層(3a)が酸化物で且つ前記第1の電極(3) の第二層(3b)が金属からなり、さらに前記第2の電極(3)が酸化物からなることを特徴とする強誘電体膜薄膜キャパシタ。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された高,強誘電体膜と、前記高,強誘電体膜上に形成された第2の電極とを有する半導体装置において、前記第1の電極が絶縁膜、多結晶シリコン膜あるいは半導体拡散領域上に形成される第一層とその上に形成され前記高,強誘電体膜と接する第二層とから構成され、前記第1の電極の第一層が酸化物で且つ前記第1の電極の第二層が金属からなり、さらに前記第2の電極が酸化物からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651