特許
J-GLOBAL ID：200903091386414085
nチャネルMOSFETの駆動回路及び電流方向切換回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173759
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022803
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 制御回路側のスイッチング素子により接地・開放される入力端の状態に応じてnチャネルMOSFETをオン・オフする駆動回路において、グランド電位に電位差があってもFETを良好にオン・オフできるようにする。【解決手段】 FET(Tn)の駆動回路は、NPNトランジスタT1,T2と、抵抗器R1〜R4とから構成され、制御回路側のスイッチング素子Toにより接地・開放される入力端の電圧Voに応じて、Tnをオン・オフする。この回路では、R3の抵抗値を大きくすれば、T1をオンするためのVoのしきい値電圧を高くすることができるため、制御回路のグランド電位GND1が駆動回路のGND2よりも高くなっても、T1を確実にオフできる。またR3の抵抗値を大きくした場合、R4の抵抗値を、それに応じて下げなければならないが、R4はT2をオンさせるだけのベース電流が流せればよいため、特に小さくする必要はない。そのため、R4の抵抗値を大きくして、Toのオン時に制御回路側に流れる電流icを少なくできる。
請求項（抜粋）：
電気負荷への通電経路の正極側にドレインが接続され、該経路の負極側にソースが接続されたnチャネルMOSFETを、外部の制御回路に設けられたスイッチング素子にて接地又は開放される入力端の状態に応じてオン・オフさせるnチャネルMOSFETの駆動回路であって、前記FETのゲートにコレクタが接続され、エミッタが直流電源の負極側に接地されたNPN型の第1トランジスタと、該第1トランジスタのコレクタと前記直流電源の正極側との間に設けられ、前記第1トランジスタのオフ時に前記FETのゲート電位を上昇させて前記FETをオンさせる第1抵抗と、前記第1トランジスタのベース・エミッタ間に設けられた第2抵抗と、前記第1トランジスタのベースに接続された第3抵抗と、コレクタが前記直流電源の正極側に接続され、エミッタが前記第3抵抗を介して前記第1トランジスタのベースに接続され、ベースが前記入力端として前記制御回路のスイッチング素子に接続されるNPN型の第2トランジスタと、該第2トランジスタのベース・コレクタ間に接続された第4抵抗と、を備えたことを特徴とするnチャネルMOSFETの駆動回路。
IPC (4件)：
H03K 17/687
, H02P 1/22
, H03K 17/16
, H03K 19/0944
H03K 17/687 E
, H02P 1/22
, H03K 17/16 L
, H03K 19/094 A
