特許

J-GLOBAL ID：200903091395351754

電界効果型トランジスタ

発明者： 岡村 寿
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-035383
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243660
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型トランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

請求項（抜粋）：

半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型トランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  C08G 61/00 ,  C08G 65/38 ,  C08G 73/00 ,  H01L 51/00

FI (5件)：

C08G 61/00 ,  C08G 65/38 ,  C08G 73/00 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28

Fターム (32件)：

4J005AA23 ,  4J005BD05 ,  4J005BD06 ,  4J032BA12 ,  4J032CG01 ,  4J043PA13 ,  4J043PB23 ,  4J043RA02 ,  4J043RA08 ,  4J043SA05 ,  4J043UA121 ,  4J043UA131 ,  4J043UB011 ,  4J043ZA45 ,  4J043ZB50 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ06