特許
J-GLOBAL ID：200903091396234832
トンネル磁気抵抗効果素子の製造装置及び製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-110197
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270456
出願日： 2007年04月19日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】製造における特性ばらつきを低減できるトンネル磁気抵抗効果素子の製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】ラジカル発生器8により発生したラジカルがウエハ3表面へ供給され金属膜が酸化されることにより、ウエハ3上へ、酸化膜からなる絶縁体膜が形成される。ネットワークアナライザ14で計測された高周波伝送特性は、酸化状態モニタ手段15でモニタされる。そして、所望の酸化状態に達したと判断された場合には、RF電源7が停止され、酸化処理工程が終了する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に第1の強磁性体膜および金属膜が順に形成された基板を用意する工程と、
前記金属膜へ酸化処理または窒化処理を施すことにより所定の厚みを有する絶縁体膜を形成する絶縁体膜形成工程と、
前記絶縁体膜上に第2の強磁性体膜を形成する工程と
を備え、
前記絶縁体膜形成工程は、前記所定の厚みを前記金属膜における高周波信号の伝送特性を求めることにより検知する厚み検知工程を有する
トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/12
, H01L 43/08
, G11B 5/39
, G01R 33/09
H01L43/12
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, G01R33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD55
, 2G017AD61
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
, 5F092AA11
, 5F092AA15
, 5F092AB01
, 5F092AB02
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB04
, 5F092BB22
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BC04
, 5F092CA13
, 5F092CA17
, 5F092GA01
, 5F092GA03
, 5F092GA05
