特許
J-GLOBAL ID：200903091404380649
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003256
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】シリコン基板1上に拡散層2,フィールド酸化膜3を形成したのち、第1の層間絶縁膜4を形成する。次で層間絶縁膜よりエッチングレートの小さいSiN膜6を表面に有する第1の配線5を形成したのち、全面に第2の層間絶縁膜7を形成する。次で拡散層2及び第1の配線5に達する接続孔8A,8Bを形成したのち、上層の第2の配線9を形成する。【効果】接続孔形成時、第1の配線の膜べりや断線が起らなくなるため、半導体装置の信頼性及び製造歩留りが向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成された不純物の拡散層と、この拡散層を含む前記半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、この第1の層間絶縁膜上に形成された第1の配線と、この第1の配線上にのみ形成された保護膜と、この保護膜上を含む全面に形成された第2の層間絶縁膜と、この第2層間絶縁膜上に形成されこの第2の層間絶縁膜と前記保護膜と前記第1の層間絶縁膜とに形成された接続孔を介して前記拡散層および前記第1の配線に接続する第2の配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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