特許
J-GLOBAL ID：200903091405208645
非晶質半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236402
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074713
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】生産性に優れかつ特性の面方向ばらつきが少ない非晶質半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】成膜室10内の成膜用基板4に対面する電極対(ガス解離装置)1、3間に原料ガスを導入して非晶質半導体薄膜を基板4上に成膜させる成膜工程と、原料ガス導入を遮断するとともに電極対(ガス解離装置)に水素ガスを導入して原子状水素を生成する化学アニ-ル工程とを交互に繰り返して成膜する。単一のガス解離装置によりガス切り換えだけで成膜と化学アニ-ルとを実施でき、生産性に優れる。
請求項（抜粋）：
成膜室内の成膜用基板に対面するガス解離装置に原料ガスを導入して非晶質半導体薄膜を前記基板上に成膜させる成膜工程と、前記原料ガス導入を遮断するとともに前記非晶質半導体薄膜表面を原子状水素に曝す化学アニ-ル工程とを交互に実施する非晶質半導体薄膜の製造方法において、前記化学アニ-ル工程は、前記成膜工程で用いられた前記ガス解離装置に水素ガスを導入して前記原子状水素を生成することを特徴とする非晶質半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
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