特許

J-GLOBAL ID：200903091407865333

超電導体の着磁方法

発明者： 柳 陽介 ,  伊藤 佳孝 ,  吉川 雅章 ,  岡 徹雄
出願人/特許権者： 株式会社イムラ材料開発研究所
代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110637
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 より弱い磁場を用いて超電導体に着磁することができ,また着磁された超電導体がより強い磁場を捕捉して,より強い永久磁石として利用可能となる超電導体の着磁方法を提供すること。【解決手段】 パルス磁場を相対的に臨界電流密度の高い部分と低い部分とを有する超電導体の印加するに当り,まず初期パルス磁場を印加し,次いで初期パルス磁場よりも強度の強い中期パルス磁場を印加し,その後中期パルスの強度以下の強さの後期パルス磁場を印加して着磁を行なう。

請求項（抜粋）：

超電導遷移温度以下に冷却された超電導体を準備し,該超電導体の近傍に配設した着磁コイルにパルス電流を通電し,これにより発生するパルス磁場を上記超電導体に印加して該超電導体の着磁を行なう着磁方法において,上記超電導体は相対的に臨界電流密度の高い部分と低い部分とを有してなり,上記パルス磁場の上記超電導体の印加に当り,まず初期パルス磁場を印加し,少なくとも臨界電流密度の相対的に低い部分と超電導体中心部に磁場を侵入させ,次いで該初期パルス磁場よりも強度の強い中期パルス磁場を印加し,少なくとも臨界電流密度の相対的に高い部分に磁場を侵入させ,その後上記中期パルスの強度以下の強さの後期パルス磁場を印加し,超電導体中心部から外縁に向けて着磁することを特徴とする超電導体の着磁方法。