特許

J-GLOBAL ID：200903091410063027

RWG型半導体レーザー装置及び製造方法

発明者： 朴 贊勇 ,  劉 址範 ,  朴 景鉉 ,  金 弘晩 ,  張 東薫 ,  李 重基
出願人/特許権者： 財団法人韓国電子通信研究所 ,  韓国電気通信公社
代理人 (1件)： 富田 和子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318159
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237046
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【構成】 InP基板の上に活性層、光導波路層を有し、その上にクラッディング層とオーム接触層で構成されたリッジの上にこのリッジの上層の幅rと同じ幅を有するp-電極金属ストライプ、幅w(w<r)のオーム接触窓(window)ストライプを有する誘電体物質、p-面ボンディングパッド金属が順次形成された構成を有する。【効果】 オーム接触抵抗を小さくして、リッジの幅を狭くすることができる。このため、熱発生が減り、発振臨界電流が減少される。

請求項（抜粋）：

InP基板31の上に、活性層32、光導波路層33を有し、その上にクラッディング層34とオーム接触層35で構成されたリッジの上に、このリッジの上層の幅rと同じ幅を有するp-電極金属ストライプ38、幅w(w<r)のオーム接触窓(window)ストライプを有する誘電体物質39、p-面ボンディングパッド金属40が順次形成された構成を有するRWG型半導体レーザー装置。