特許

J-GLOBAL ID：200903091415270934

Siナノ結晶発光材料及びその製造方法

発明者： 藤井 稔 ,  歳清 公明 ,  高瀬 裕志 ,  林 真至
出願人/特許権者： 財団法人新産業創造研究機構
代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245492
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083712
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】室温においてSiのバンドギャップ以下のエネルギーで発光するSiナノ結晶発光材料及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】Siナノ結晶中に、n型不純物及びp型不純物が同時にドープされていることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

室温において、Siのバンドギャップ(1.12eV)以下のエネルギーで発光するSiナノ結晶発光材料。

IPC (6件)：

C09K11/59 ,  C01B33/02 ,  C03C13/06 ,  C03C17/02 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08

FI (7件)：

C09K11/59 ,  C01B33/02 Z ,  C03C13/06 ,  C03C17/02 A ,  C09K11/02 Z ,  C09K11/08 A ,  C09K11/08 G

Fターム (35件)：

4G059AA08 ,  4G059AC15 ,  4G059CA01 ,  4G059CA03 ,  4G059CA08 ,  4G059CB02 ,  4G062AA08 ,  4G062AA15 ,  4G062BB08 ,  4G062BB09 ,  4G062CC06 ,  4G062MM12 ,  4G062NN19 ,  4G062PP10 ,  4G062PP11 ,  4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072BB09 ,  4G072BB20 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ34 ,  4G072LL03 ,  4G072NN11 ,  4G072TT01 ,  4G072UU04 ,  4H001CA02 ,  4H001CC11 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14 ,  4H001YA05 ,  4H001YA15