特許

J-GLOBAL ID：200903091415747390

圧電体素子の製造方法、圧電体素子及びインクジェット式記録ヘッド

発明者： 襟立 信二 ,  小林 本和 ,  久保田 純 ,  内田 文生 ,  清水 千恵美 ,  前田 憲二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社 ,  富士化学株式会社
代理人 (3件)： 金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275600
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111835
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】ゾルゲル法による圧電体素子の成膜において、厚膜であり、緻密で良好な電気特性を保持した圧電体素子、および本素子を用いたインクジェット式記録ヘッド、圧電体素子の製造方法を提供する。【解決手段】圧電体素子の製造方法において、少なくとも塗工液の基板への塗工工程と、200°C以下の温度での乾燥工程と、200〜450°Cの温度範囲での仮焼成工程と、500〜800°Cの温度範囲で本焼成工程と、冷却工程と、を有し、仮焼成工程及び本焼成工程が過熱水蒸気及び酸素からなる雰囲気下で行い、雰囲気中の酸素濃度を10体積%以上とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極の間に圧電体薄膜を挟持した圧電体素子の製造方法において 溶剤中に金属化合物を含む塗工液を下部電極上に塗布して塗工層を形成する塗工工程と、 該塗工層を200°C以下の温度で乾燥させる乾燥工程と、 該乾燥塗工層を200〜450°Cの温度範囲で加熱する仮焼成工程と、 該仮焼成された層を500〜800°Cの温度範囲で加熱する本焼成工程と、 該本焼成された層を冷却して前記金属化合物由来の金属酸化物の結晶を含む圧電体薄膜を得る冷却工程と、 を有し、 前記仮焼成及び本焼成工程における加熱が過熱水蒸気と酸素からなる雰囲気下で行われ、該雰囲気中の酸素濃度が10体積%以上である ことを特徴とする圧電体素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01L41/22 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  C04B35/46 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

FI (9件)：

H01L41/22 Z ,  C04B35/46 J ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 D ,  B41J3/04 103A

Fターム (17件)：

2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP57 ,  2C057BA14 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  4G031GA07 ,  4G031GA08 ,  4G031GA09 ,  4G031GA11