特許
J-GLOBAL ID：200903091417513885
静電容量型圧力センサとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203499
公開番号（公開出願番号）：特開平8-068710
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】上部電極と下部電極との間隔と薄肉部の厚さとを狭い範囲内に揃え、感度のばらつきを狭い範囲内に収めた圧力センサを歩留り良く安定に製造する。【構成】不純物拡散でシリコン基板1に下部電極2、シリコン板11に上部電極12を形成し、絶縁膜13を間に挟んでシリコン基板1とシリコン板11を接合する。シリコン基板1とシリコン板11を選択エッチングして薄肉部5、厚肉部6、凹部7、15a,15bを形成する。凹部15aに孔16をあけ空洞17につなげる。シリコン基板1の下部に台座ガラス板21を取付ける。凹部7,15bに電極取出し部8,18を設ける。薄肉部5は下部電極2の一部で構成され、下部電極2と同じ厚さである。薄肉部7の厚さは不純物拡散の深さで決められ、電極間距離は絶縁膜13の厚さで決められので、センサの感度を狭いばらつき範囲内に収めることがてきる。
請求項（抜粋）：
一導電型単結晶のシリコン基板の上面に設けられた反対導電型の下部電極と、この下部電極に達するまで前記シリコン基板を下面から選択除去して形成される薄肉部とこの薄肉部の中に形成される厚肉部とを有するダイアフラムと、一導電型単結晶のシリコン板の下面に設けられた反対導電型の上部電極と、この上部電極に達するまで前記シリコン板を上面から選択除去して形成される電極取出し部とを有し、前記下部電極に対して前記上部電極が間隔をおいて対向するように前記シリコン基板の上面に取付けられた上部電極板と、前記ダイアフラムと前記上部電極板との間に配置され、前記上部電極と前記薄肉部との間に空洞を形成すると共に前記上部電極と前記下部電極との間の間隔を保持する絶縁膜と、前記ダイアフラムの下面に設けられ、前記薄肉部との間に空洞を形成し、この空洞に通じる通気孔を有する台座ガラス板とを備えたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
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