特許
J-GLOBAL ID：200903091418744996
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072613
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256365
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 集積度の低下を招くことなく、2段エッチングを用いて複数のコンタクトホールを形成し、高電流容量の配線等の良好な接続を実現することである。【解決手段】 複数のコンタクトホール32a,32bが2次元の広がりをもって配列され、各々のコンタクトホールは、幅広の穴と、より細い穴とを連結した断面形状を有しており、かつ、2次元の広がり内において、隣接する前記各コンタクトホールの幅広の穴どうしが連結する部分と、連結せずに前記絶縁膜の表面部が連続して残っている部分100とが存在している。絶縁膜の連続して残っている部分100が、幅広の穴を開口する際のフォトレジストマスクを支え、その結果としてフォトレジストの落下が防止され、所望のコンタクトホールの形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の一部を貫通して設けられた複数のコンタクトホールとを具備し、前記複数のコンタクトホールは、2次元の広がりをもって配列され、各々のコンタクトホールは、幅広の穴と、より細い穴とを連結した断面形状を有しており、かつ、前記2次元の広がり内において、隣接する前記各コンタクトホールの前記幅広の穴どうしが連結する部分と、連結せずに前記絶縁膜の表面部が連続して残っている部分とが存在していることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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