特許
J-GLOBAL ID：200903091427391532
ポジ型金属硫化物薄膜パターン形成用組成物及びポジ型金属硫化物薄膜パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-316653
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：
【要約】【課題】 ゾルゲル法によりポジ型金属硫化物薄膜パターンを形成する。【解決手段】 金属アルコキシドと光照射によりエッチング助剤を発生する化合物とを含有する組成物。この組成物を基板に塗布して光照射し、照射部の光分解反応による光照射部と非照射部との溶解度差を利用してパターニングし、次いで、硫化水素ガス中で熱処理を行って硫化する。【効果】 光照射部では、金属アルコキシドが溶剤可溶性となり、非照射部では加水分解性の金属アルコキシドが空気中の水分で加水分解し、溶剤に対して不溶性の金属水酸化物が生成する。光照射後に溶剤で現像すると、光照射部のみが溶解除去され、非照射部が残ることにより、ポジ型金属酸化物薄膜パターンが形成される。これを硫化処理することにより容易にポジ型金属硫化物薄膜パターンとすることができる。
請求項（抜粋）：
金属アルコキシドと、光照射により、エッチング助剤を生成する化合物とを含有することを特徴とするポジ型金属硫化物薄膜パターン形成用組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 20/08
, C23C 26/00 A
