半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012868
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、メモリセル容量のスクリーニングや、ビット線間ノイズマージン等のテストを容易に行い得る技術を提供することにある。【構成】センスアンプSAの出力信号振幅を狭めることによりハーフリストアを実現し、蓄積電荷量QCを、通常VDL振幅時におけるフルリストア時の約1/2とすることにより、メモリセル容量CSの故障等の異常をスクリーニング可能とし、また、ビット線間ノイズマージンなどのテストを可能とする。

請求項（抜粋）：

メモリセルからの読出し信号を増幅するセンスアンプと、このセンスアンプを駆動制御するための制御手段とを含む半導体記憶装置において、上記制御手段は、上記センスアンプの出力信号振幅を調節可能とする素子と、この素子を制御して上記センスアンプの出力信号振幅を狭め上記メモリセルの蓄積電荷量を等価的に減少させることによってテスティングモードを実現する制御論理とを含んで成ることを特徴とする半導体記憶装置。

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