多結晶半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083914
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】例えばアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素部スイッチング素子あるいは駆動回路を構成する回路素子として用いられる多結晶半導体装置において、しきい値電圧などの動作特性を高精度に制御して均一なのもとし、かつその移動度が高く高速応答特性に優れた多結晶半導体装置を提供する。【構成】 a-Si:H膜103におけるチャネル領域108の電流が流れる活性領域の水素濃度を、その活性領域より深い領域における水素濃度よりも低い濃度分布に形成されていることにより、しきい値電圧をはじめとして半導体装置の動作特性を高精度に制御して均一なのもとし、かつその電界効果移動度が高く応答特性等にも優れたものとすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体層中にキャリアが移動するチャネル領域を備えた多結晶半導体装置であって、前記チャネル領域における、電流が流れる活性領域の水素濃度が前記活性領域より深い領域の水素濃度よりも低い濃度分布である多結晶半導体層と、前記チャネル領域のキャリアの移動を制御する制御電極と、を具備することを特徴とする多結晶半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

多結晶半導体薄膜の製造方法及びレーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-102012 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-326770
特開平4-051570

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