特許
J-GLOBAL ID：200903091436999802
多層配線層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238683
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107143
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、第1の配線層11上に形成されたシリコン酸化膜12に、第2の配線層を埋め込むための開口部を形成するにあたり、シリコン酸化膜12上に形成するレジストの形状に特徴がある。開口部には配線溝とコンタクトホールがあり、コンタクトホールは配線溝の下に形成する。通常、配線溝とコンタクトホールの断面は階段形状を有する。従来、この配線溝とコンタクトホールは別々の工程で形成されていたが、本発明ではレジストの形状を階段形状にすることにより、一回の工程で階段形状を有する開口部を形成することができる。【効果】 本発明を用いると、配線溝とコンタクトホールを同時に形成することができ、効果的な多層配線の形成方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
第1の配線層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成するにあたり、前記絶縁膜が露出する部分に面する前記フォトレジストパターンの開口部の幅を、前記絶縁膜の露出面に近づくにつれ狭く形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクに前記絶縁膜をエッチングし、前記第1の配線層を露出させ、かつ前記第1の配線層が露出する部分に面する前記絶縁膜の開口部の幅を、前記第1の配線層の露出面に近づくにつれ狭く形成する工程と、 前記第1の配線層の露出面上および前記絶縁膜上に第2の配線層を形成する工程と、前記絶縁膜上面の所定箇所が露出するよう前記第2の配線層を除去し、その際前記第1の配線層上に第2の配線層が残存していることを特徴とする多層配線層の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3213
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 D
