特許

J-GLOBAL ID：200903091440038949

半導体装置の洗浄方法

発明者： 河原 博之
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146266
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017775
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上とコストの低減を実現する。【構成】 水酸化アンモニウムと過酸化水素水と水とで構成される洗浄液の温度を65〜75°Cの温度範囲とすることで、Si表面のマイクロラフネスの増大が生じる高いパーティクルの除去効率を実現し、NH4OHとH2O2濃度の最適化で薬液の使用量を削減し、洗浄効率を高く維持したまま稼働効率の向上とコストの低減を実現するものである。さらにNH4OHとH2O2の濃度比の関係からSC-1洗浄液の寿命を決定し、無用な廃液の産出を抑制し、洗浄液の使用量と廃液処理量の削減により生産コストの低減を実現することができる。

請求項（抜粋）：

水酸化アンモニウム(NH4OH)と過酸化水素水(H2O2)と水(H2O)とで構成される洗浄液を、前記洗浄液の温度を65〜75°Cの範囲で半導体基板を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/18 ,  H01L 21/308