特許
J-GLOBAL ID：200903091442363103
高周波プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194345
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029834
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 高周波プラズマ処理装置において放電管内の反応生成物の生成、壁面への付着、基板への落下を防止する。【構成】 放電管4を備える真空用容器1と、容器1の内部を減圧状態にする排気機構8と、容器の内部に反応ガスを導入するガス導入機構9と、放電管内に高周波電力を供給し反応ガスをプラズマ化する高周波供給機構10と、容器内で放電管に対向して配置された基板保持機構2を備え、放電管4は基板保持機構に対向する箇所にバイアス電圧が印加された電極5を備える。必要な場合に電極は被膜が形成される。また電極の面を任意の温度に設定する温度調整装置12を備える。
請求項（抜粋）：
誘電体で形成された放電管を備える容器と、前記容器の内部を減圧状態にする排気機構と、前記容器の内部に反応ガスを導入するガス導入機構と、前記放電管内に高周波電力を供給し前記反応ガスをプラズマ化する高周波供給機構と、前記容器内で前記放電管に対向して配置された基板保持機構を備える高周波プラズマ処理装置において、前記放電管は、前記基板保持機構に対向する箇所にバイアス電圧が印加された電極を備えることを特徴とする高周波プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
