半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287683
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148752
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】リークパス幅を精密に制御することが可能な、高い最大光出力を有する半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置を提供する。【構成】 p型InP基板1上にp型InP第1下側クラッド層20、p型InGaAsPマストランスポート抑制層21、p型InP第2下側クラッド層22、InGaAsP活性層3、n型InP上側クラッド層4、n型InGaAsキャップ層5を順次成長させた後、導波路となる部分以外をエッチング除去し、導波路となるメサを形成する。この後、MOCVD法を用いて、電流ブロック層を上記メサの両脇に選択成長させる。【効果】電流ブロック層成長前の昇温時における、活性層の上下のクラッド層側面形状の変形を防止でき、リークパス幅を精密に制御することが可能となり、最大光出力が向上した半導体レーザ装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型のInPからなる第1の下側クラッド層上の全面に、上記第1導電型のInGaAsPからなるマストランスポート抑制層、上記第1導電型のInPからなる第2の下側クラッド層、InGaAsPからなる層を含む活性層、及び上記第1導電型と逆の第2の導電型のInPからなる上側クラッド層を順次成長させて、第1下側クラッド層、マストランスポート抑制層、第2下側クラッド層、活性層、及び上側クラッド層からなる導波路層を形成する工程と、上記導波路層の導波路を形成すべき部分の両脇の部分を上記上側クラッド層の側からエッチングし、上記マストランスポート抑制層のエッチングが完了した時点、あるいはさらに上記第1下側クラッド層の表面の薄層部分がエッチングされた時点で上記エッチングを停止することにより、発生したレーザ光を導波する導波路を形成する工程と、上記形成された導波路の両脇の上記導波路層がエッチング除去された部分に半導体層を成長させ、電流を上記導波路内に閉じ込める電流ブロック層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

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