特許
J-GLOBAL ID：200903091445440192
半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271126
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094212
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 エッチング等の加工後の再成長層におけるクラックの発生および結晶性の劣化が防止された半導体素子を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1上にAlGaNバッファ層2、アンドープGaN層3、n-GaNコンタクト層4、n-InGaNクラック防止層5、n-AlGaNクラッド層6、MQW活性層7およびp-AlGaNクラッド層8が順に形成されている。p-AlGaNクラッド層8にリッジ部が形成され、リッジ部上面にp-GaNキャップ層9が形成されている。p-AlGaNクラッド層8の平坦部上およびリッジ部の側面にn-AlGaN第1の再成長低温バッファ層10およびn-AlGaN電流ブロック層11が順に形成され、n-AlGaN電流ブロック層11上およびリッジ部上面にp-AlGaN第2の再成長低温バッファ層12およびp-GaNコンタクト層13が形成されている。
請求項（抜粋）：
上面がパターニングされた窒化物系半導体から構成される第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に位置する窒化物系半導体から構成されるバッファ層と、前記バッファ層上に位置する窒化物系半導体から構成される第2の半導体層と備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041FF01
, 5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA16
, 5F073EA28
