特許
J-GLOBAL ID：200903091446830652
光電変換素子及びその製法、並びに前記光電変換素子が用いられた太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189806
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026051
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】半導体電極層中に存在する光増感剤の劣化がなく、長寿命で、かつ光電変換効率に優れ、しかも低コストな光電変換素子及びその製造方法を提供することを目的とするものである。また、本発明は、前記光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。【解決手段】入光面を有する透明導電層2と対極層5との間に、光を吸収して電子を放出する半導体電極層3と、酸化還元反応により電流を持続させる電解質層4とが隣接して配置された光電変換素子1であって、前記半導体電極層3が、互いに異なる光吸収スペクトルを有する二種以上の酸化チタンから構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
入光面を有する透明導電層と対極層との間に、光を吸収して電子を放出する半導体電極層と、酸化還元反応により電流を持続させる電解質層とが隣接して配置された光電変換素子において、
前記半導体電極層が、互いに異なる光吸収スペクトルを有する二種以上の酸化チタンから形成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA08
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA30
, 5F051GA03
, 5F051GA05
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032CC14
, 5H032CC16
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032HH04
