特許
J-GLOBAL ID：200903091447197732
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307453
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152684
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 活性層が非平坦構造を有し、ヒートシンクの材料に特徴を有する半導体発光装置に関し、非平坦活性層の屈曲部に熱膨張係数の差による応力を生じない半導体発光装置を提供する。【構成】 半導体基板18と、この半導体基板18の上に形成された活性層15と、活性層15中で発生する熱を放散するためのヒートシンク11を有する半導体発光装置において、この活性層15が非平坦構造を有し、このヒートシンク11が半導体基板18と同一の材料によって構成され、かつ、半導体基板18の反対側の面に固着されている構成を有する。この場合、活性層がダブルヘテロ構造を有することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と該半導体基板上に形成された活性層と、活性層中で発生する熱を放散するためのヒートシンクを有する半導体発光装置において、該活性層が非平坦構造を有し、該ヒートシンクが該半導体基板と同一の材料によって構成され、かつ、該半導体基板の反対側の面に固着されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/02
, H01L 23/373
, H01L 33/00
