シリコン単結晶の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185174
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009096
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【目的】シリコン単結晶内部の積層欠陥及び/又は微小欠陥を抑止し、さらにリングOSFの発生を実用上無視できる程度に抑制し、さらに酸化膜耐圧の向上を図ることができるようにシリコン単結晶を製造する。【構成】引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設け、該円筒の内壁を断熱反射材料からなる被覆部材で被覆したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、単結晶棒を0.8〜1.1mm/minの引上速度で製造する。

請求項（抜粋）：

引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設け、該円筒の内壁を断熱反射材料からなる被覆部材で被覆したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、単結晶棒を0.8〜1.1mm/minの引上げ速度で製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-105992
特開昭62-138384
特開昭64-072984

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