特許

J-GLOBAL ID：200903091459219570

化合物半導体膜の形成方法

発明者： 渡辺 暁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205040
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054437
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 基板2の端部近傍に形成される発光素子の発光強度が低下するという問題があった。【解決手段】 基板2をサセプタ1の凹部3内に設置して加熱しながらこの基板2上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成方法であって、前記サセプタ1の凹部3内に、この凹部3の側壁部3b側が高くなるような段差部3aを設けたり、前記サセプタ1の凹部3底面をすり鉢状に湾曲して形成して、前記基板2上に前記化合物半導体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板をサセプタの凹部内に設置して加熱しながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成方法において、前記サセプタの凹部内に、この凹部の側壁部側が高くなるような段差部を設けて、前記基板上に前記化合物半導体膜を堆積させることを特徴とする化合物半導体膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/12 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 H ,  C30B 25/12 ,  C30B 29/40 502 A ,  H01L 21/203 M