特許

J-GLOBAL ID：200903091464720201

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106554
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196755
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れた窒化インジウムガリウム半導体、およびその成長方法を提供する。【構成】 原料ガスとしてガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスと、ケイ素源のガスまたはゲルマニウム源のガスとを用い、さらに前記原料ガスのキャリアガスを窒素として、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウムまたは窒化ガリウムアルミニウムの上に、SiまたはGeをドープした一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体にSiまたはGeがドープされていることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-203388
  
• 特開平4-068579
  
• 特開平3-252175
  
• 特開平4-163969