特許
J-GLOBAL ID：200903091464720201
窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106554
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196755
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れた窒化インジウムガリウム半導体、およびその成長方法を提供する。【構成】 原料ガスとしてガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスと、ケイ素源のガスまたはゲルマニウム源のガスとを用い、さらに前記原料ガスのキャリアガスを窒素として、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウムまたは窒化ガリウムアルミニウムの上に、SiまたはGeをドープした一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる。
請求項（抜粋）：
一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体にSiまたはGeがドープされていることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体。
IPC (2件)：
引用特許：
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