ダミーウェハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103887
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283306
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、珪素含浸の炭化珪素からなる基材の表面にアルミナとシリカからなるCVDコーティング膜が設けられており、CVDコーティング膜の全膜厚が20〜200μmであり、最内層はアルミナ含有率が50〜75重量%で、シリカ含有率が25〜50重量%であり、最外層はアルミナ含有率が90〜100重量%で、シリカ含有率が0〜10重量%であることを特徴とするダミーウェハ。【効果】 IC製造工程において、ダミーウェハの被膜に亀裂と剥離が発生することを抑止する。

請求項（抜粋）：

半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、珪素含浸の炭化珪素からなる基材の表面にアルミナとシリカからなるCVDコーティング膜が設けられており、CVDコーティング膜の全膜厚が20〜200μmであり、最内層は、アルミナ含有率が50〜75重量%で、シリカ含有率が25〜50重量%であり、最外層は、アルミナ含有率が90〜100重量%で、シリカ含有率が0〜10重量%であることを特徴とするダミーウェハ。

前のページに戻る