特許

J-GLOBAL ID：200903091466589315

磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子

発明者： 藤方 潤一 ,  林 一彦 ,  中田 正文 ,  山本 英文 ,  石原 邦彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344066
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050611
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 ゼロ磁場前後で直線的に抵抗変化し、しかも耐食性に優れた磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】 基板4上に非磁性薄膜1を介して積層した複数の磁性薄膜2,3からなり、非磁性薄膜1を介して隣り合う一方の磁性薄膜3に反強磁性薄膜5が設けてあり、この反強磁性薄膜5のバイアス磁界をHr、他方の磁性薄膜2の保磁力をHc<SB>2 </SB>としたとき、Hc<SB>2 </SB><Hrである磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性薄膜5の少なくとも一部がfct構造のNiMn又はNiO上に10〜40オングストロームのCoOを積層した2層構造である。

請求項（抜粋）：

基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が設けてあり、この反強磁性薄膜のバイアス磁界をHr、他方の軟磁性薄膜の保磁力をHc<SB>2</SB>としたとき、Hc<SB>2 </SB><Hrである磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性薄膜の少なくとも一部がfct構造のNiMnであることを特徴とする磁気抵抗効果膜。