特許

J-GLOBAL ID：200903091468076641

成膜方法

発明者： 山▲崎▼ 英亮 ,  波多野 達夫 ,  松田 司 ,  池田 太郎 ,  中村 和仁 ,  松澤 興明 ,  河野 有美子 ,  立花 光博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205516
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043928
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】金属カルボニル原料を使って絶縁膜上に金属膜をCVD法により堆積する成膜方法において、堆積開始時のインキュベーション時間を解消する。【解決手段】堆積開始に先立って、被処理基板表面近傍の空間に金属カルボニル原料を第1の分圧で供給することにより核生成を行ない、次いで前記金属カルボニル原料をより低い第2の分圧で供給し、金属膜の堆積を行う。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、 (A)金属カルボニル化合物を含む気相原料を被処理基板表面近傍の空間に、前記金属カルボニル化合物の分圧を第1の分圧に設定して導入する工程と、 (B)前記工程(A)の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に、前記金属カルボニル化合物の分圧を第2のより低い分圧に設定して導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する工程とよりなり、前記工程(A)は、前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (3件)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (13件)：

4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA12 ,  4K030BA20 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45