特許

J-GLOBAL ID：200903091468191335

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 福田 永
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252810
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104451
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 昇圧回路を使用することなく情報の書き込み及び消去動作を実行することができ、かつトンネル酸化膜の信頼性を改善する不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【構成】 不揮発性半導体記憶装置はP型シリコン基板11内に埋没したゲート電極構造体を有する。トンネル酸化膜16はP型シリコン基板11の表面に形成された溝15の内壁に形成される。ソース及びドレイン領域18,17は溝15により離間され、かつこの溝15の側壁に接するシリコン基板表面に形成されるチャンネル層により電気的に接続される。浮遊ゲート電極19はトンネル酸化膜16の表面に形成される。制御ゲート電極20は絶縁層を介して浮遊ゲート電極19上に形成される。書き込み及び消去動作は、溝15の開放端部近傍のソース又はドレイン領域と浮遊ゲート電極間に流れる電流により実行される。

請求項（抜粋）：

表面に溝を有する第1導電型の半導体基板と;前記溝を介して前記溝の側壁に接するように前記半導体基板表面に形成された一対の第2導電型の第1及び第2領域と;前記溝の表面に形成された第1の絶縁膜と;前記溝内の前記第1絶縁膜表面に形成された第1の導電体層と;前記第1の導電体層の表面に形成された第2の絶縁体層と;前記第2の絶縁体層表面に形成された第2の導電体層とを有する事を特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434