特許
J-GLOBAL ID：200903091469464076
光電子増倍管
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999000161
公開番号（公開出願番号）：WO2000-044030
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月27日
要約：
【要約】この光電子増倍管(1)において、受光面板に入射した光は、光電面(3a)で光電子に変換されダイノード(4)に入射し、ダイノードからの2次電子がメッシュ状のアノード(5)で収集される。アノード(5)は、光電面に平行に配置される結果、光電面からの光電子がアノードのメッシュ部分を通過しやすくなり光電子増倍管のゲイン特性が向上する。また、アノードを平板状に形成することにより形成が容易となる。ダイノード(4)の2次電子放出面(4a)はアノードに対して傾斜して配置されているので、光電子が斜め入射する結果、2次電子の放出量が大きくなり、光電子増倍管のゲイン特性が向上する。
請求項（抜粋）：
受光面板に入射した光によって光電子を放出する光電面と、前記光電面から放出した光電子を受容することで2次電子を放出するダイノードと、前記光電面と前記ダイノードとの間に配置して、前記2次電子を収集するメッシュ状のアノードとを有する光電子増倍管において、 前記アノードを前記光電面に対して平行に配置させ、前記ダイノードは、前記アノードに対して傾斜する2次電子放出面を有することを特徴とする光電子増倍管。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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