特許

J-GLOBAL ID：200903091472816099

多層配線構造を有する基板の製造法および半導体装置

発明者： 川上 正洋 ,  萩原 秀雄
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177504
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026579
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 製造が容易で、粘度安定性に優れ、良好な像形成が可能なポジ型感光性樹脂組成物を用いて、下層配線層の段差をほぼ完全に平坦化でき、配線の信頼性の高い多層配線構造を有する基板の製造法及び層間絶縁膜において下層配線層の段差がほぼ完全に平坦にされ、配線の信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 パターンの形成された配線層を有する基板上に、(a)有機溶媒可溶性ポリイミドと塩基性化合物とにより形成される錯体、(b)光酸発生剤及び(c)溶媒を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物を用いて層間絶縁膜を形成し、その上に上層配線層を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線構造を有する基板の製造法並びに(a)有機溶媒可溶性ポリイミドと塩基性化合物とにより形成される錯体、(b)光酸発生剤及び(c)溶媒を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成された層間絶縁膜を有してなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

パターンの形成された配線層を有する基板上に、(a)有機溶媒可溶性ポリイミドと塩基性化合物とにより形成される錯体、(b)光酸発生剤及び(c)溶媒を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物を用いて層間絶縁膜を形成し、その上に上層配線層を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線構造を有する基板の製造法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 504 ,  H01L 21/312 ,  H05K 3/46

FI (7件)：

H01L 21/90 S ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 Z ,  G03F 7/038 504 ,  H01L 21/312 B ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 T