特許

J-GLOBAL ID：200903091473224896

半導体装置

発明者： 宮崎 透
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196200
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031290
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 不均一な温度上昇が発生した場合においても高感度測定可能な温度検知素子を、チップ面積の増大を伴うことなくパワーICに搭載する。【解決手段】 パワー半導体素子1のポリシリコンゲート電極10に連続して配置されたp+ ドープドポリシリコン21a、n+ ドープドポリシリコン領域22、p+ ドープドポリシリコン領域21bからなる温度検知部を、パワーセルブロック4の機能領域の上部に配置する。n+ ドープドポリシリコン領域22とp+ドープドポリシリコン領域21bとで構成されるpn接合ダイオードが温度検知素子17として機能する。p+ ドープドポリシリコン21aは、ポリシリコンゲート電極10とn+ ドープドポリシリコン領域22とを電気的に分離するための領域である。

請求項（抜粋）：

p型ポリシリコン領域およびn型ポリシリコン領域からなるpn接合ダイオードを温度検知素子とし、該温度検知素子をパワー半導体素子の機能領域の上部に配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 102 A ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 652 F

Fターム (34件)：

5F038AZ08 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038CA08 ,  5F038CD19 ,  5F038DF14 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA26 ,  5F040DB02 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EE02 ,  5F040EF04 ,  5F040EF18 ,  5F048AA01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA12 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02