半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104860
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279499
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 α線遮断膜を厚くしても該α線遮断膜自身のパターニングのための露光に際してのアライメントマークの視認性が損なわれず、支障なくアライメントができるようにし、延いては、α線遮断膜の対ソフトエラー性を充分に強めることを可能にする。【構成】半導体ウェハ4の周辺部を除く部分上にα線遮断膜7を形成する。具体的には、ポリアミド酸7をスピンコーティングし、その後、溶剤8を半導体ウェハ4の周辺部上に滴下して該周辺部上のポリアミド酸7をエッチングすることにより下地を露出させてアライメントマーク9を視認可能にする。ポリアミド酸7はベーク処理により溶剤が除去されてα線に対して遮断性を有するポリイミド樹脂膜となる。

請求項（抜粋）：

少なくとも周辺部にアライメントマークを有する半導体ウェハの周辺部を除く部分上にα線遮断膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法

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