特許
J-GLOBAL ID：200903091483144971
光集積素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027984
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229634
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用した光集積素子を提供する。【解決手段】 本光集積素子40は、GaN系半導体レーザ素子42と、フォトダイオード44とを集積させた光集積素子である。GaN系半導体レーザ素子42は、n型GaN基板12上に、n型GaN層14、n型AlGaNクラッド層16、n型GaN光導波層18、多重量子井戸構造を有する活性層20、p型GaN光導波層22、p型AlGaNクラッド層24、及びp型GaNコンタクト層26の積層構造を備えている。n型GaN基板12の高密度欠陥領域のコア部12aには、直径50μmの貫通孔32が設けられている。フォトダイオード44は、例えば面受光型であって、貫通孔32を塞ぐようにしてGaN基板12上に設けられ、貫通孔32を介して活性領域から漏れ出た光を受光する。フォトダイオード44は、貫通孔32を介して漏れ出た光を受光し、光出力強度を測定して、GaN系半導体レーザ素子42の制御信号として出力する。
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体の積層構造を備えた窒化物系化合物半導体発光素子と、窒化物系化合物半導体の積層構造から漏れ出た光を受光して、窒化物系化合物半導体発光素子に光出力制御信号を出力する受光素子とを備える光集積素子であって、窒化物系化合物半導体発光素子は、結晶欠陥密度が周囲より高い領域として、周期的な基板面上配列で基板を貫通している高密度欠陥領域領域を有する半導体結晶基板と、高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する又は未貫通するように基板に設けられた孔とを備えて、積層構造から孔を介して光を漏れ出させ、受光素子は、孔を塞ぐようにして基板上に設けられ、孔を介して漏れ出た光を受光することを特徴とする光集積素子。
IPC (3件)：
H01S 5/026 612
, H01S 5/022
, H01S 5/323 610
H01S 5/026 612
, H01S 5/022
, H01S 5/323 610
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AB13
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA35
