特許
J-GLOBAL ID：200903091493087682
プロセス窓を最適化するリソグラフィ・パラメータの決定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-563470
公開番号（公開出願番号）：特表2006-512758
出願日： 2003年12月18日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
臨界寸法(CD)を有するフィーチャを印刷するリソグラフィ・プロセスの最適プロセス窓を提供する最良のプロセス変量(E、F、W)設定を決定するために、全体性能特性パラメータ(Cpk)と、露光量(E)、焦点合わせ(F)のようなプロセス・パラメータの関数としてCDデータを記述する解析モデルとが使用される。これは、統計的CD分布(CDd)の平均値(μCD)および分散(σCD)を計算して、最適プロセス窓を提供する最も高いCpk値および関連プロセス・パラメータの値を決定することを可能にする。
請求項（抜粋）：
基板層にマスク・パターンを転写することを含むリソグラフィ生産プロセスの最適プロセス窓を提供する最良のプロセス変量設定を決定する方法において、前記プロセス窓が制御可能なプロセス・パラメータの寛容度によって構成されており、前記方法が、
-臨界寸法(CD)を有する前記マスク・パターンのフィーチャの焦点合わせ-露光マトリックスのデータ・セットを取得するステップを含み、前記フィーチャが所定の設計CD値を有し、前記設計CD値が、前記基板層に前記フィーチャを転写するときに可能な限りそれに近づけなければならないCD値であり、前記方法がさらに
-転写された前記フィーチャの像が設計許容差条件を満たすかどうかをチェックし、制御可能なプロセス変量のどの値の組合せが、前記設計値に最も近いCD値および前記最良のプロセス寛容度を提供するかを決定するステップ
を含む方法であって、チェックし最良の組合せを決定する前記プロセスが、
1)関連プロセス変量の統計的分布を定義するステップであって、前記分布の諸パラメータが、前記プロセス変量の推定されたまたは測定された変動によって決定されるステップと、
2)前記プロセス変量である焦点合わせ(F)および露光量(E)の関数として前記CD値を記述する解析モデル(CD(E,F))の係数(b1〜bn)を適合させるステップと、
3)ステップ1)の前記解析モデルCD(E、F)を使用して、前記CD分布の平均CD値および分散を計算するステップと、
4)前記CD分布が所望のプロセス制御パラメータCpkにどのくらい適合するのかを定量的に決定するステップと、
5)最大Cpk値を提供する露光量値および焦点合わせ値を決定することによって、前記設計フィーチャに対する前記最良のプロセス設定を決定するステップと
を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502Z
, G03F7/20 501
2H097BB01
, 2H097BB10
, 2H097LA10
, 5F046AA17
, 5F046AA28
, 5F046DA02
, 5F046DA14
, 5F046DB04
