特許
J-GLOBAL ID：200903091494653517
薄膜トランジスター及び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249801
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116063
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【構成】 チャンネル領域11aと高濃度不純物領域11bとの境界部近傍で、かつ、高濃度不純物領域11bのエッジ部近傍に位置する多結晶シリコン薄膜11の部分に、高濃度不純物領域11bと同一導電型であり高濃度不純物領域11bよりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域11c、または、不純物濃度がゼロのオフセット領域が設けられている薄膜トランジスターおよび、この薄膜トランジスターを用いた液晶表示装置。【効果】 高濃度不純物領域11bのエッジ部における電界集中が防止されるので、高いソース・ドレイン間耐圧が得られる。しかも、従来のシングルゲート構造の薄膜トランジスターと同様の、高いオン電流を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上もしくは絶縁層上に形成された活性層と、活性層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の直下に位置する活性層の部分に形成されたチャンネル領域と、チャンネル領域の両側に位置する活性層の部分にそれぞれ形成されたソース領域、ドレイン領域とを備えた薄膜トランジスターにおいて、チャンネル領域とソース領域またはドレイン領域との境界部近傍で、かつ、ソース領域またはドレイン領域のエッジ部近傍に位置する活性層の部分に、ソース領域およびドレイン領域と同一導電型でありソース領域およびドレイン領域よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域、または、不純物濃度がゼロのオフセット領域が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスター。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 617 A
