特許
J-GLOBAL ID：200903091497060231
化合物半導体結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003160
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体の有機金属気相成長方法において、成長層の境界面において急峻なドーピングプロファイルを有する多層構造を容易に実現する。【構成】 V族原料として有機金属化合物を用いて炭素をドーピングする際に、V族水素化物を同時に周期的に供給する。また、V族水素化物と同時にn型ドーピングガスを周期的に供給してドーピング超格子を作製する。さらに、V族水素化物を供給する周期を変化させることにより、炭素のドーピング量を制御する。【効果】 各層の境界面で成長中断や成長温度の変更を行わなくても済む。したがって、時間の節約だけでなく、成長層の境界面に不純物や欠陥が導入されにくく、エピタキシャル層の品質の向上に効果がある。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体の有機金属気相成長方法において、V族原料として有機金属化合物を用いて炭素をドーピングする際に、V族水素化物を周期的に供給することにより超格子を作製することを特徴とする気相成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 25/14
, C30B 29/42
