特許
J-GLOBAL ID：200903091499739657
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022044
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 優れた生産性で安価に半導体装置を製造する方法、及びかかる方法で製造された信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 平板治具上に複数のダイパッドと複数の電極端子とに対応するパターンを有する金属ペースト層を形成するパターン形成工程S10と、平板治具上で上記金属ペースト層を焼成して、焼成金属からなるダイパッドと電極端子とを形成する焼成工程S11と、半導体チップと電極端子とをワイヤで接続し、半導体チップと該半導体チップにワイヤを介して接続された電極端子とからなる単位部材を形成する接続工程S12と、複数の単位部材を平板治具上に封止樹脂で封止し一体化して半導体装置部材を形成した後に上記平板治具を剥離させる治具剥離工程S14によって、安価で信頼性の高い半導体装置を製造した。
請求項（抜粋）：
半導体チップが載置されたダイパッドと、上記ダイパッドとは分離されて配置されワイヤを介して上記半導体チップに接続された1つ又は複数の電極端子を備え、上記ダイパッドと上記電極端子とは封止樹脂で覆われ、かつ上記ダイパッドの半導体チップ載置面の反対面及び上記電極端子のワイヤが接続されている面の反対面を上記封止樹脂から露出させてなる半導体装置において、上記ダイパッドと上記電極端子の各々が、粉末金属を含むペーストで形成され、該ペーストを焼成させてなる焼成金属部からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/14 M
, H01L 23/12 W
