特許

J-GLOBAL ID：200903091502729668

真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法

発明者： 板谷 暢昭
出願人/特許権者： 神鋼電機株式会社
代理人 (1件)： 内藤 哲寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134221
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298162
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】真空式半導体製造装置において、インナー及びアウターの各チューブのメンテナンスを行う際に、本体装置に設けられている真空排気装置により各チューブを強制冷却して、そのメンテナンスに要する時間を短縮することである。【解決手段】ウェハの化学処理の終了後において、真空排気装置を作動させて、インナーチューブ5の下端の開口から冷却気体を流入させて、この冷却気体を化学処理時における不活性ガスと同一経路を通過させて、ヒータ4を強制冷却する。

請求項（抜粋）：

移載室の上部に設けられたヒータの内部にアウターチューブとインナーチューブとが二重となって配設され、各チューブ内を真空排気装置により吸引排気することにより、各チューブ内の真空を保持して、多数枚のウェハを多段状にして保持したウェハボートを前記インナーチューブ内に挿入して、該ウェハの化学処理を行う構成の真空式半導体製造装置のヒータを冷却させる方法であって、上記ウェハの化学処理の終了後に真空排気装置を作動させて、前記インナーチューブの下端の開口から冷却気体を流入させて、該冷却気体を化学処理時における不活性ガスと同一経路を通過させることにより、前記ヒータを冷却させることを特徴とする真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/324 D