特許

J-GLOBAL ID：200903091507008993

半導体発光装置に成長させたフォトニック結晶

発明者： ジョナサン ジェイ ウィーラー ジュニア ,  マイケル アール クレイムズ ,  ネイサン エフ ガードナー
出願人/特許権者： フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-193365
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352148
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】フォトニック結晶構造を含む半導体発光装置を提供する。【解決手段】n型領域とp型領域の間に配置された発光領域を含むIII族窒化物構造のような半導体構造内にフォトニック結晶を成長させる。フォトニック結晶は、半導体材料の複数の領域とすることができ、これらの領域は、この半導体材料とは屈折率が異なる材料によって分離されている。例えば、フォトニック結晶は、構造内に成長して空隙又はマスク材料の領域によって分離された半導体材料のポストとすることができる。フォトニック結晶を既に成長した半導体層内にエッチングするのではなくフォトニック結晶を成長させることは、効率を低下させることがあるエッチングが原因の損傷を回避し、電気接点がその上に形成される、割り込まれていない平坦な表面を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

n型領域とp型領域の間に配置されて順方向バイアスされた時に波長λの光を放出するように構成された発光領域を含む半導体構造内にフォトニック結晶を成長させる段階、 を含み、 前記フォトニック結晶は、 第1の屈折率を有する半導体材料の複数の領域と、 前記第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する材料の複数の領域と、 を含み、 前記第2の屈折率を有する材料の領域は、前記半導体材料の領域の間にアレイの形に配置され、第2の屈折率を有する材料の各領域は、第2の屈折率を有する材料の最も近い隣りの領域から5λ未満に位置している、 ことを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (5件)：

5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,955,749号
  
• 米国特許公開第2003/0141507号
  

審査官引用 (2件)

• 半導体の形成方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-030772   出願人：三洋電機株式会社
• フォトニック結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-336945   出願人：株式会社エイ・ティ・アール環境適応通信研究所