特許

J-GLOBAL ID：200903091516947234

薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形成方法

発明者： 大河原 一彦 ,  頴川 雅洋 ,  西郡 英典 ,  江尻 雅彦
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-339110
公開番号（公開出願番号）：特開平8-185610
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 絶縁層,ギャップ層の変化を防ぎ、特性を所望のものとすることができる薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形成方法を提供すること【構成】 基板10の上部に所定形状の下部磁極層11,非磁性膜12,絶縁層13を順次積層形成し、さらにそれらの上部に第1レジスト14を形成し、所定パターンの第1孔部15を形成し(図(A))、上面にメッキベース16を蒸着し(図(B))、その上面に第2レジスト17を形成し、所定パターンの第2孔部18を形成し(図(C))、第1孔部15,第2孔部18から露出するメッキベース上にメッキ膜を成長させてコイル層19を形成する(同図(D))。この後、第2レジスト,露出するメッキベース,第1レジストの順で除去するが、メッキベース除去時にオーバーエッチングしたとしてもその下側には第1レジストが存在するため、絶縁層などが削られることがない。

請求項（抜粋）：

薄膜磁気ヘッドを構成する各層のうち、メッキを施して形成するメッキ層を形成する方法において、まず、基板上にすでに形成された所定層の表面を覆うように第1レジストを塗布するとともに、露光現像して所定パターンの第1孔部を形成し、前記第1レジストの上面及び前記第1孔部の底面にメッキベースを形成し、前記メッキベースの上面を覆うように第2レジストを塗布するとともに、露光現像して前記第1孔部の上方に、第2レジストに所定パターンの第2孔部を形成し、第2孔部を介して露出する前記メッキベース上にメッキ膜を成長させ、その後、第2レジストを除去し、次いでその第2レジストの除去により露出したメッキベースを除去し、さらに第1レジストを除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおけるメッキ層形成方法。