特許
J-GLOBAL ID：200903091519220912

薄膜形成装置

発明者：
塚原 祐二

塚原 祐二 について

, 
布野 秀和

布野 秀和 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-375585
公開番号（公開出願番号）：特開2006-183070
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】 安定的な薄膜形成を可能として、かつ装置コストを抑えることができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 薄膜形成装置は、複数の成膜室21〜24を例えばZnO膜上のAL膜、Ag膜の積層、あるいはAg膜のみの複数回に分けての成膜に利用することができる。仕切り扉33a,33bをともに開いておくとき、フィルム基板10を一回だけ搬送すれば、第1成膜室21と第2成膜室22ではフィルム基板10の表面側に成膜でき、同時に第3成膜室23と第4成膜室24では裏面側に成膜を施すことができる。仕切り扉33a,33bの一方だけを開いておけば、送りロール4から中間ロール18に至る搬送経路と、中間ロール18から巻き取りロール5に至る搬送経路とに切り換えて使用することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
放電電極が配置された真空容器内で回転駆動する送りロールから巻き取りロールに向けて搬送される可撓性基板に対して、その表面に複数の電極層を順次に成膜する薄膜形成装置において、 前記可撓性基板の厚さ方向の両側にそれぞれ保持された前記放電電極を含む複数の成膜手段と、 前記可撓性基板が前記真空容器内で搬送される搬送路を複数に区分するための開閉自在の仕切り手段と、 前記可撓性基板を前記仕切り手段により区分された前記真空容器内の各領域において前記可撓性基板の幅方向が鉛直面内に保持された状態で搬送する搬送手段と、 を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件)：
C23C 14/56 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
C23C14/56 B ,  C23C14/34 C ,  H01L31/04 T
Fターム (16件)：
4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA03 ,  4K029BA04 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BB04 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC16 ,  4K029EA00 ,  4K029KA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051GA05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 薄膜形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-024692   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
  • 特開昭55-054569
  • 特開平2-093068

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